学术报告通知
报告题目：超宽禁带氧化镓基日盲紫外光电探测器
报 告 人：李万俊 教授，重庆师范大学
邀请人/主持人：陶传义 教授 理学院副院长
时 间：2024年12月12日（星期四）上午09:00开始
地 点：花溪校区至善楼200
组织单位：理学院
报告人简介：
李万俊，重庆师范大学物理与电子工程学院教授、硕士生导师，重庆市巴渝学者青年学者，重庆市学术技术带头人后备人选，凝聚态物质结构与性能重庆市研究生导师团队带头人，重庆师范大学领军人才、青年拔尖人才、师德标兵，重庆物理学会理事，全国材料与器件科学家智库电子信息材料与器件专家委员会理事，重庆市电子协会宽禁带半导体材料与器件专委会常务委员，担任Advanced Materials等40余部国内外学术期刊审稿人、《半导体光电》青年编委。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究等工作，主持国家自然科学基金2项，重庆市自然科学基金面上项目2项，重庆市教委科学技术研究项目2项，以及多项校级项目。在Advanced Science、Small、Advanced Optical Materials、Applied Physics Letters、Optics Express、Chemical Engineering Journal、ACS Applied Materials & Interfaces、Small Methods等国内外刊物上发表相关学术论文80余篇，其中，入选国际著名基本科学指标数据库热点论文2篇（ESI热点1‰论文）。授权发明专利1项。研究成果“ZnO薄膜掺杂及光电磁特性研究”获重庆市自然科学二等奖。
讲座内容介绍:
近年来，日盲深紫外探测器因其在军事和民用方面的潜在应用而受到广泛关注。新兴超宽带隙氧化镓（Ga2O3，4.5-5.2 eV）因其较高的击穿电场、良好的热/化学稳定性、超高的可见光透过率、有效避免复杂和不可控的合金化过程等优势, 被认为是日盲深紫外光电探测器的天然候选材料之一。本报告主要介绍团队近年来围绕Ga2O3材料的制备与改性、日盲深紫外探测器件设计与性能优化、以及器件应用开发等方面的部分最新研究进展。
欢迎广大师生踊跃参与！
理学院
2024年12月10日
